熔點(diǎn)的判斷方法

發(fā)布于2023-10-16 10:11:11 點(diǎn)擊：0

相同條件不同狀態(tài)物質(zhì)的比較規(guī)律
　　一、在相同條件下，不同狀態(tài)的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)的高低是不同的，一般有：固體>液體>氣體。例如：NaBr（固）>Br2>HBr（氣）。
　　二、不同類(lèi)型晶體的比較規(guī)律
　　一般來(lái)說(shuō)，不同類(lèi)型晶體的熔、沸點(diǎn)的高低順序?yàn)椋涸泳w>離子晶體>分子晶體，而金屬晶體的熔、沸點(diǎn)有高有低。這是由于不同類(lèi)型晶體的微粒間作用不同，其熔、沸點(diǎn)也不相同。原子晶體間靠共價(jià)鍵結(jié)合，一般熔、沸點(diǎn)最高；離子晶體陰、陽(yáng)離子間靠離子鍵結(jié)合，一般熔、沸點(diǎn)較高；分子晶體分子間靠范德華力結(jié)合，一般熔、沸點(diǎn)較低；金屬晶體中金屬鍵的鍵能有大有小，因而金屬晶體熔、沸點(diǎn)有高有低。
　　例如：金剛石>食鹽>干冰
　　三、同種類(lèi)型晶體的比較規(guī)律
　　⒈原子晶體：熔、沸點(diǎn)的高低，取決于共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)和鍵能，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，熔沸點(diǎn)越高。
　　例如：晶體硅、金剛石和碳化硅三種晶體中，因鍵長(zhǎng)C—C<C—Si< Si—Si，所以熔沸點(diǎn)高低為：金剛石>碳化硅>晶體硅。
　　⒉離子晶體：熔、沸點(diǎn)的高低，取決于離子鍵的強(qiáng)弱。一般來(lái)說(shuō)，離子半徑越小，離子所帶電荷越多，離子鍵就越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)就越高。
　　例如：MgO>CaO，NaF>NaCl>NaBr>NaI。
　　⒊分子晶體：熔、沸點(diǎn)的高低，取決于分子間作用力的大小。一般來(lái)說(shuō)，組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，其分子量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)就越高。
　　例如：F2<Cl2<Br2;CCl4<CBr4<CI4。
　　⒋金屬晶體：熔、沸點(diǎn)的高低，取決于金屬鍵的強(qiáng)弱。一般來(lái)說(shuō)，金屬離子半徑越小，自由電子數(shù)目越多，其金屬鍵越強(qiáng)，金屬熔沸點(diǎn)就越高。
　　例如：Na<Mg<Al，Li>Na>K。
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